中文参数如下:
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封装封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
安装类型:表面贴装型
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率 - 最大值:2W
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):310pF @ 15V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):6.3nC @ 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):30 毫欧 @ 6A,10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A
漏源电压(Vdss):30V
FET 功能:-
配置:2 N-通道(双)
技术:MOSFET(金属氧化物)
产品状态:不适用于新设计
包装:-
系列:卷带(TR)
品牌:Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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