点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
工厂包装数量:50
上升时间:11 ns
功率耗散:450 W
下降时间:110 ns
包装形式:Bulk
封装形式:TO-220 SIS
安装风格:Through Hole
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):2.5 Ohms
漏极连续电流:5 A
闸/源击穿电压:30 V
汲极/源极击穿电压:900 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Toshiba
以上是2SK3742(Q)的详细信息,包括2SK3742(Q)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!