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中文参数如下:
功率耗散:3 W
包装形式:Tray
封装形式:TO-3PML
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):5 Ohms
漏极连续电流:4 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:1.5 KV
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:ON Semiconductor
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