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中文参数如下:
功率耗散:110 W
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Tray
封装形式:TO-3PB-3
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):10 Ohms
漏极连续电流:2 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:1500 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:ON Semiconductor
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