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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:50 ns
工厂包装数量:50
上升时间:23 ns
功率耗散:400 W
最小工作温度:- 65 C
下降时间:34 ns
包装形式:Bulk
封装形式:TO-220 SIS
安装风格:Through Hole
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):4.3 Ohms
漏极连续电流:3 A
闸/源击穿电压:30 V
汲极/源极击穿电压:900 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Toshiba
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