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中文参数如下:
上升时间:20 ns
功率耗散:40 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:12 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :2 S
下降时间:30 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-220
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):5.6 Ohms
漏极连续电流:2.5 A
闸/源击穿电压:30 V
汲极/源极击穿电压:900 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Toshiba
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