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2SK3566(Q)

厂家：
  Toshiba
封装：
 TO-220 SIS
数量：
 8991  
说明：
 MOSFET N-Ch 900V 2.5A Rdson 6.4 Ohm
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2SK3566(Q)-TO-220 SIS图片

2SK3566(Q) PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：82 ns
工厂包装数量：50
上升时间：104 ns
功率耗散：400 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：80 ns
包装形式：Bulk
封装形式：TO-220 SIS
安装风格：SMD/SMT
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：6.4 Ohms
漏极连续电流：2.5 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：900 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Toshiba

以上是2SK3566(Q)的详细信息，包括2SK3566(Q)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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