2SK3562(Q)

厂家:
  Toshiba
封装:
 TO-220 SIS
数量:
 8919  
说明:
 MOSFET N-Ch 600V 6A Rdson 1.25 Ohm
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2SK3562(Q) PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:9.5 ns
工厂包装数量:50
上升时间:5 ns
功率耗散:400 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:3 ns
包装形式:Bulk
封装形式:TO-220 SIS
安装风格:SMD/SMT
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):1.25 Ohms
漏极连续电流:6 A
闸/源击穿电压:30 V
汲极/源极击穿电压:600 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Toshiba

以上是2SK3562(Q)的详细信息,包括2SK3562(Q)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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