2SK3561(Q,M)

厂家:
  Toshiba
封装:
 TO-220 NIS
数量:
 8910  
说明:
 MOSFET MOSFET N-Ch 500V 8A Rdson 0.85 Ohm
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2SK3561(Q,M)-TO-220 NIS图片

2SK3561(Q,M) PDF参数资料

中文参数如下:

工厂包装数量:50
上升时间:26 ns
功率耗散:40 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:38 ns
封装形式:TO-220 NIS
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.85 Ohms
漏极连续电流:8 A
闸/源击穿电压:+/- 30 V
汲极/源极击穿电压:500 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Toshiba

以上是2SK3561(Q,M)的详细信息,包括2SK3561(Q,M)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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