2N5550TAR

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-92-3
数量:
 41536  
说明:
 两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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中文参数如下:
供应商器件:
封装封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
安装类型:通孔
工作温度:150°C(TJ)
频率 - 跃迁:300MHz
功率 - 最大值:625 mW
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):60 @ 10mA,5V
电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 5mA,50mA
电压 - 集射极击穿(最大值):140 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):600 mA
晶体管类型:NPN
产品状态:在售
包装:-
系列:剪切带(CT),带盒(TB)
品牌:onsemi

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