2N5550TF

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-92-3 Kinked Lead
数量：: 1242
说明：: 两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

一、本商品被浏览0次.

2N5550TF PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：2000
包装形式：Reel
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：625 mW
直流电流增益 hFE 最大值：250
集电极连续电流：0.6 A
封装形式：TO-92-3 Kinked Lead
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：60
增益带宽产品fT：100 MHz
最大直流电集电极电流：0.6 A
集电极—射极饱和电压：140 V
发射极 - 基极电压 VEBO：6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：140 V
集电极—基极电压 VCBO：160 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是2N5550TF的详细信息，包括2N5550TF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：