2N5551_D11Z

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-92
数量：: 8298
说明：: 两极晶体管 - BJT

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2N5551_D11Z PDF参数资料

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中文参数如下：

最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：625 mW
直流电流增益 hFE 最大值：80 at 1 mA at 5 V
封装形式：TO-92
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
增益带宽产品fT：300 MHz
最大直流电集电极电流：0.6 A
发射极 - 基极电压 VEBO：6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：160 V
集电极—基极电压 VCBO：180 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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