2N5551_D11Z

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-92
数量:
 8298  
说明:
 两极晶体管 - BJT
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2N5551_D11Z PDF参数资料

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中文参数如下:

最小工作温度:- 55 C
最大功率耗散:625 mW
直流电流增益 hFE 最大值:80 at 1 mA at 5 V
封装形式:TO-92
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
增益带宽产品fT:300 MHz
最大直流电集电极电流:0.6 A
发射极 - 基极电压 VEBO:6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:160 V
集电极—基极电压 VCBO:180 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是2N5551_D11Z的详细信息,包括2N5551_D11Z厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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