2N5550TAR_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-92
数量：: 8271
说明：: 两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

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2N5550TAR_Q PDF参数资料

中文参数如下：

包装形式：Ammo
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：625 mW
集电极连续电流：0.6 A
封装形式：TO-92
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：60 at 1 mA at 5 V
增益带宽产品fT：300 MHz
最大直流电集电极电流：0.6 A
集电极—射极饱和电压：140 V
发射极 - 基极电压 VEBO：6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：140 V
集电极—基极电压 VCBO：160 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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