2N5550BU

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-92-3
数量：: 1170
说明：: 两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

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2N5550BU PDF参数资料

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中文参数如下：
供应商器件：
封装封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
安装类型：通孔
工作温度：150°C（TJ）
频率 - 跃迁：300MHz
功率 - 最大值：625 mW
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：60 @ 10mA，5V
电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 5mA，50mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：140 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600 mA
晶体管类型：NPN
产品状态：停产
包装：-
系列：散装
品牌：onsemi

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