图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BLF6G10-45 | NXP Semiconductors | CDFM | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | |||
参数:制造商:NXP,产品种类:射频MOSFET电源晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:N-Channel,汲极/源极击穿电压:65 V,漏极连续电... | ||||||
BLF6G10-45 /T3 | NXP Semiconductors | CDFM | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | |||
参数:制造商:NXP,产品种类:射频MOSFET电源晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:N-Channel,汲极/源极击穿电压:65 V,漏极连续电... | ||||||
BLF6G10-45,112 | NXP Semiconductors | CDFM2 | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | |||
参数:Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|922.5MHz ~ 957.5MHz|22.5dB|28 V|13A|-|350 mA|1W... | ||||||
BLF6G10-45,135 | NXP Semiconductors | CDFM2 | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | |||
参数:Ampleon USA Inc.|卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel 得捷定制卷带|-|停产|LDMOS|-|922.5MHz ~ 957.5MH... | ||||||
BLF6G10L-200BRN,11 | NXP Semiconductors | SOT-502A | 射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR | |||
参数:制造商:NXP,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:N-Channel,频率:0.7 GHz to 1 GHz,增益:20 dB,输出功率:40 W,... | ||||||
BLF6G10L-200BRN:11 | NXP Semiconductors | SOT-502A | 射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR | |||
参数:制造商:NXP,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:N-Channel,频率:0.7 GHz to 1 GHz,增益:20 dB,输出功率:40 W,... | ||||||
BLF6G10L-260PBM,11 | NXP Semiconductors | LDMOST | 射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR | |||
参数:Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|双|-|-|28 V|64A|-|1.8 A|40W|65 V|底座安装|SOT-1110A|LD... | ||||||
BLF6G10L-260PBM:11 | NXP Semiconductors | LDMOST | 射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR | |||
参数:Ampleon USA Inc.|卷带(TR)|-|停产|LDMOS|双|-|-|28 V|64A|-|1.8 A|40W|65 V|底座安装|SOT-1110... | ||||||
BLF6G10L-260PRN,11 | NXP Semiconductors | SOT539A | 射频MOSFET电源晶体管 Single 65V 64A 0.1Ohms | |||
参数:Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|双,共源|917.5MHz ~ 962.5MHz|22dB|28 V|64A|-|1.8 A|40... | ||||||
BLF6G10L-260PRN:11 | NXP Semiconductors | SOT539A | 射频MOSFET电源晶体管 Single 65V 64A 0.1Ohms | |||
参数:Ampleon USA Inc.|卷带(TR)|-|停产|LDMOS|双,共源|917.5MHz ~ 962.5MHz|22dB|28 V|64A|-|1.8 ... | ||||||
BLF6G10L-40BRN,112 | NXP Semiconductors | CDFM6 | 射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR | |||
参数:Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|双,共源|788.5MHz ~ 823.5MHz|23dB|28 V|11A|-|390 mA|2... | ||||||
BLF6G10L-40BRN,118 | NXP Semiconductors | CDFM6 | 射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR | |||
参数:Ampleon USA Inc.|卷带(TR)|-|停产|LDMOS|双,共源|788.5MHz ~ 823.5MHz|23dB|28 V|11A|-|390 ... | ||||||
BLF6G10LS-135R | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | |||
参数:制造商:NXP,产品种类:射频MOSFET电源晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:N-Channel,汲极/源极击穿电压:65 V,漏极连续电... | ||||||
BLF6G10LS-135R /T3 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | |||
参数:制造商:NXP,产品种类:射频MOSFET电源晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:N-Channel,汲极/源极击穿电压:65 V,漏极连续电... | ||||||
BLF6G10LS-135R,112 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | |||
参数:制造商:NXP,产品种类:射频MOSFET电源晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:N-Channel,汲极/源极击穿电压:65 V,漏极连续电... | ||||||
BLF6G10LS-135R,118 | NXP Semiconductors | SOT-502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | |||
参数:制造商:NXP,产品种类:射频MOSFET电源晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:N-Channel,频率:0.7 GHz to 1 GHz,... | ||||||
BLF6G10LS-135RN,11 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 Trans MOSFET N-CH 65V 32A 3-Pin | |||
参数:Ampleon USA Inc.|卷带(TR)|-|停产|LDMOS|-|871.5MHz ~ 891.5MHz|21dB|28 V|32A|-|950 mA|... | ||||||
BLF6G10LS-135RN:11 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 Trans MOSFET N-CH 65V 32A 3-Pin | |||
参数:Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|871.5MHz ~ 891.5MHz|21dB|28 V|32A|-|950 mA|26.5... | ||||||
BLF6G10LS-160 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | |||
参数:制造商:NXP,产品种类:射频MOSFET电源晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:N-Channel,汲极/源极击穿电压:65 V,漏极连续电... | ||||||
BLF6G10LS-160 /T3 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | |||
参数:制造商:NXP,产品种类:射频MOSFET电源晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:N-Channel,汲极/源极击穿电压:65 V,漏极连续电... |
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