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BLF6G10-45 NXP Semiconductors CDFM 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
参数:制造商:NXP,产品种类:射频MOSFET电源晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:N-Channel,汲极/源极击穿电压:65 V,漏极连续电...
BLF6G10-45 /T3 NXP Semiconductors CDFM 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
参数:制造商:NXP,产品种类:射频MOSFET电源晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:N-Channel,汲极/源极击穿电压:65 V,漏极连续电...
点击查看BLF6G10-45,112参考图片 BLF6G10-45,112 NXP Semiconductors CDFM2 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
参数:Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|922.5MHz ~ 957.5MHz|22.5dB|28 V|13A|-|350 mA|1W...
点击查看BLF6G10-45,135参考图片 BLF6G10-45,135 NXP Semiconductors CDFM2 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
参数:Ampleon USA Inc.|卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel 得捷定制卷带|-|停产|LDMOS|-|922.5MHz ~ 957.5MH...
点击查看BLF6G10L-200BRN,11参考图片 BLF6G10L-200BRN,11 NXP Semiconductors SOT-502A 射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR
参数:制造商:NXP,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:N-Channel,频率:0.7 GHz to 1 GHz,增益:20 dB,输出功率:40 W,...
BLF6G10L-200BRN:11 NXP Semiconductors SOT-502A 射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR
参数:制造商:NXP,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:N-Channel,频率:0.7 GHz to 1 GHz,增益:20 dB,输出功率:40 W,...
点击查看BLF6G10L-260PBM,11参考图片 BLF6G10L-260PBM,11 NXP Semiconductors LDMOST 射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR
参数:Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|双|-|-|28 V|64A|-|1.8 A|40W|65 V|底座安装|SOT-1110A|LD...
点击查看BLF6G10L-260PBM:11参考图片 BLF6G10L-260PBM:11 NXP Semiconductors LDMOST 射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR
参数:Ampleon USA Inc.|卷带(TR)|-|停产|LDMOS|双|-|-|28 V|64A|-|1.8 A|40W|65 V|底座安装|SOT-1110...
点击查看BLF6G10L-260PRN,11参考图片 BLF6G10L-260PRN,11 NXP Semiconductors SOT539A 射频MOSFET电源晶体管 Single 65V 64A 0.1Ohms
参数:Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|双,共源|917.5MHz ~ 962.5MHz|22dB|28 V|64A|-|1.8 A|40...
点击查看BLF6G10L-260PRN:11参考图片 BLF6G10L-260PRN:11 NXP Semiconductors SOT539A 射频MOSFET电源晶体管 Single 65V 64A 0.1Ohms
参数:Ampleon USA Inc.|卷带(TR)|-|停产|LDMOS|双,共源|917.5MHz ~ 962.5MHz|22dB|28 V|64A|-|1.8 ...
点击查看BLF6G10L-40BRN,112参考图片 BLF6G10L-40BRN,112 NXP Semiconductors CDFM6 射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR
参数:Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|双,共源|788.5MHz ~ 823.5MHz|23dB|28 V|11A|-|390 mA|2...
点击查看BLF6G10L-40BRN,118参考图片 BLF6G10L-40BRN,118 NXP Semiconductors CDFM6 射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR
参数:Ampleon USA Inc.|卷带(TR)|-|停产|LDMOS|双,共源|788.5MHz ~ 823.5MHz|23dB|28 V|11A|-|390 ...
BLF6G10LS-135R NXP Semiconductors SOT502B 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
参数:制造商:NXP,产品种类:射频MOSFET电源晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:N-Channel,汲极/源极击穿电压:65 V,漏极连续电...
BLF6G10LS-135R /T3 NXP Semiconductors SOT502B 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
参数:制造商:NXP,产品种类:射频MOSFET电源晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:N-Channel,汲极/源极击穿电压:65 V,漏极连续电...
点击查看BLF6G10LS-135R,112参考图片 BLF6G10LS-135R,112 NXP Semiconductors SOT502B 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
参数:制造商:NXP,产品种类:射频MOSFET电源晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:N-Channel,汲极/源极击穿电压:65 V,漏极连续电...
点击查看BLF6G10LS-135R,118参考图片 BLF6G10LS-135R,118 NXP Semiconductors SOT-502B 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
参数:制造商:NXP,产品种类:射频MOSFET电源晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:N-Channel,频率:0.7 GHz to 1 GHz,...
点击查看BLF6G10LS-135RN,11参考图片 BLF6G10LS-135RN,11 NXP Semiconductors SOT502B 射频MOSFET电源晶体管 Trans MOSFET N-CH 65V 32A 3-Pin
参数:Ampleon USA Inc.|卷带(TR)|-|停产|LDMOS|-|871.5MHz ~ 891.5MHz|21dB|28 V|32A|-|950 mA|...
点击查看BLF6G10LS-135RN:11参考图片 BLF6G10LS-135RN:11 NXP Semiconductors SOT502B 射频MOSFET电源晶体管 Trans MOSFET N-CH 65V 32A 3-Pin
参数:Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|871.5MHz ~ 891.5MHz|21dB|28 V|32A|-|950 mA|26.5...
BLF6G10LS-160 NXP Semiconductors SOT502B 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
参数:制造商:NXP,产品种类:射频MOSFET电源晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:N-Channel,汲极/源极击穿电压:65 V,漏极连续电...
BLF6G10LS-160 /T3 NXP Semiconductors SOT502B 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
参数:制造商:NXP,产品种类:射频MOSFET电源晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:N-Channel,汲极/源极击穿电压:65 V,漏极连续电...

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