| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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PTFA212401E V4 R250 | Infineon Technologies | H-36260-2 | 射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 240 W 2110-2170 MHz | ||
| 参数：Infineon Technologies|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|-|2.14GHz|15.8dB|30 V|10μA|-|1.6 A|50W|6... | ||||||
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PTFA212401F V4 | Infineon Technologies | H-37260-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：Infineon Technologies|托盘|-|停产|LDMOS|-|2.14GHz|15.8dB|30 V|10μA|-|1.6 A|50W|65 V|... | ||||||
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PTFA212401F V4 R250 | Infineon Technologies | H-37260-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：Infineon Technologies|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|-|2.14GHz|15.8dB|30 V|10μA|-|1.6 A|50W|6... | ||||||
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PTFA220041M V4 | Infineon Technologies | PG-SON-10 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：50 mA，闸/源击穿电压：12... | ||||||
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PTFA220081M V4-T | Infineon Technologies | PG-SON-10 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：0.7 GHz to 2.2 GHz，增益：17 dB，输出功... | ||||||
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PTFA220121M V4 | Infineon Technologies | PG-SON-10 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：150 mA，闸/源击穿电压：1... | ||||||
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PTFA240451E V1 | Infineon Technologies | H-30265-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：Infineon Technologies|托盘|GOLDMOS|停产|LDMOS|-|2.48GHz|14dB|28 V|10μA|-|450 mA|45W|... | ||||||
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PTFA240451E V1 R250 | Infineon Technologies | H-30265-2 | 射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 45 W 2420-2480 MHz | ||
| 参数：Infineon Technologies|卷带（TR）|GOLDMOS|停产|LDMOS|-|2.48GHz|14dB|28 V|10μA|-|450 mA|... | ||||||
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PTFA241301E V1 | Infineon Technologies | H-30260-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：Infineon Technologies|托盘|GOLDMOS|停产|LDMOS|-|2.42GHz|14dB|28 V|10μA|-|1.15 A|130W... | ||||||
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PTFA241301F V1 | Infineon Technologies | H-31260-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：Infineon Technologies|托盘|GOLDMOS|停产|LDMOS|-|2.42GHz|14dB|28 V|10μA|-|1.15 A|130W... | ||||||
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PTFA260451E V1 | Infineon Technologies | H-30265-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：Infineon Technologies|托盘|GOLDMOS|停产|LDMOS|-|2.68GHz|15dB|28 V|10μA|-|500 mA|45W|... | ||||||
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PTFA260451EV1R250 | Infineon Technologies | 射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 45 W 2.62-2.68 GHz | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，... | ||||||
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PTFA260851E V1 | Infineon Technologies | H-30248-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：Infineon Technologies|托盘|-|停产|LDMOS|-|2.68GHz|14dB|28 V|10μA|-|900 mA|85W|65 V|表... | ||||||
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PTFA260851EV1R250 | Infineon Technologies | H-30248-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 9 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：2.7 GHz，增益：1... | ||||||
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PTFA260851F V1 | Infineon Technologies | H-31248-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：Infineon Technologies|托盘|-|停产|LDMOS|-|2.68GHz|14dB|28 V|10μA|-|900 mA|85W|65 V|表... | ||||||
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PTFA260851F V1 R250 | Infineon Technologies | H-31248-2 | 射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 85 W 2500-2700 MHz | ||
| 参数：Infineon Technologies|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|-|2.68GHz|14dB|28 V|10μA|-|900 mA|85W|65... | ||||||
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PTFA261301E V1 | Infineon Technologies | H-30260-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：Infineon Technologies|托盘|GOLDMOS|停产|LDMOS|-|2.68GHz|13.5dB|28 V|10μA|-|1.4 A|130... | ||||||
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PTFA261301F V1 | Infineon Technologies | H-31260-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：Infineon Technologies|托盘|GOLDMOS|停产|LDMOS|-|2.68GHz|13.5dB|28 V|10μA|-|1.4 A|130... | ||||||
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PTFA261702E V1 | Infineon Technologies | H-30275-4 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：Infineon Technologies|托盘|-|停产|LDMOS|-|2.66GHz|15dB|28 V|10μA|-|1.8 A|170W|65 V|表... | ||||||
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PTFB082817FH V1 | Infineon Technologies | H-34288-4/2 | 射频MOSFET电源晶体管 LD9 280W 30V 791-821MHz | ||
| 参数：制造商：Infineon，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：791 MHz to 821 MHz，增益：19.3 dB，输出功率：60 ... | ||||||
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