| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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PTFA080551F V4 | Infineon Technologies | H-37265-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：869 MHz to 960 MHz，... | ||||||
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PTFA080551F V4 R250 | Infineon Technologies | H-37265-2 | 射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 55 W 869-960 MHZ | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：869 MHz to 960 MHz，... | ||||||
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PTFA080551FV1 | Infineon Technologies | H-37265-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：869 MHz to 9... | ||||||
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PTFA081501E V1 | Infineon Technologies | H-30248-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：Infineon Technologies|托盘|GOLDMOS|停产|LDMOS|-|900MHz|18dB|28 V|10μA|-|950 mA|150W|... | ||||||
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PTFA081501FV1 | Infineon Technologies | H-31248-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：864 MHz to 9... | ||||||
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PTFA082201E V4 | Infineon Technologies | H-36260-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：869 MHz to 894 MHz，... | ||||||
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PTFA082201E V4 R250 | Infineon Technologies | H-36260-2 | 射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 220 W 869-894 MHZ | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：869 MHz to 894 MHz，... | ||||||
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PTFA082201EV1 | Infineon Technologies | H-36260-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：869 MHz to 8... | ||||||
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PTFA082201F V4 | Infineon Technologies | H-37260-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：869 MHz to 894 MHz，... | ||||||
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PTFA082201F V4 R250 | Infineon Technologies | H-37260-2 | 射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 221 W 869-894 MHZ | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：869 MHz to 894 MHz，... | ||||||
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PTFA082201FV1 | Infineon Technologies | H-37260-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：869 MHz to 8... | ||||||
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PTFA091201E V4 | Infineon Technologies | H-36248-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：920 MHz to 960 MHz，... | ||||||
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PTFA091201E V4 R250 | Infineon Technologies | H-36248-2 | 射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 120 W 920-960 MHz | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：920 MHz to 960 MHz，... | ||||||
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PTFA091201F V4 | Infineon Technologies | H-37248-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：920 MHz to 960 MHz，... | ||||||
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PTFA091201F V4 R250 | Infineon Technologies | H-37248-2 | 射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 120 W 920-960 MHz | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：920 MHz to 960 MHz，... | ||||||
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PTFA091201GLV1 | Infineon Technologies | PG-63248-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LD EPOC | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：920 MHz to 9... | ||||||
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PTFA091201GLV1R250 | Infineon Technologies | PG-63248-2 | 射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 120 W 920-960 MHz | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：920 MHz to 9... | ||||||
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PTFA091201HLV1 | Infineon Technologies | PG-64248-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LD EPOC | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：920 MHz to 9... | ||||||
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PTFA091201HLV1R250 | Infineon Technologies | PG-64248-2 | 射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 120 W 920-960 MHz | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：920 MHz to 9... | ||||||
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PTFA091203EL V4 | Infineon Technologies | H-33288-6 | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS 120W 920-960MHz | ||
| 参数：制造商：Infineon，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：920 MHz to 960 MHz，增益：17 dB，输出功率：120 W... | ||||||
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