| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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TC7SZ125FU(T5L,JFT | Toshiba | MOSFET CMOS 3-State 2.1ns Buffer5.5V 1.8V 32mA | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，... | ||||||
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TC6320K6-G | Supertex | VDFN-8 | 1500 | MOSFET N AND P-CH 200V MOSFET | |
| 参数：制造商：Supertex，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
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TC6320TG | Supertex | SO-8 | MOSFET 200V 8.0/7.0Ohm | ||
| 参数：制造商：Supertex，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，漏极连续电流：- 2... | ||||||
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TC6320TG-G | Supertex | SOIC-8 | 1500 | MOSFET 200V 8.0/7.0Ohm | |
| 参数：制造商：Supertex，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，漏极连续电流：- 2... | ||||||
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TC6215TG-G | Supertex | SOIC-8 | 1500 | MOSFET N & P Channel Enhanc ement Dual MOSFET | |
| 参数：制造商：Supertex，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V, - 150 V，闸... | ||||||
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TC45H5 | Rectron | MOSFET TRAN PNP 10 AMP | |||
| 参数：制造商：Rectron，包装形式：Bulk，... | ||||||
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TC1550TG | Supertex | SOIC-8 Narrow | MOSFET 500V 60/125 ohm | ||
| 参数：制造商：Supertex，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/... | ||||||
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TC1550TG-G | Supertex | SOIC-8 | 1500 | MOSFET 500V N&P 60/125 Ohm | |
| 参数：制造商：Supertex，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/... | ||||||
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TC2320TG | Supertex | SO-8 | MOSFET 200V | ||
| 参数：制造商：Supertex，产品种类：MOSFET，RoHS：过渡期间，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压... | ||||||
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TC2320TG-G | Supertex | SOIC-8 | 23370 | MOSFET N/P Ch 200 Volt | |
| 参数：制造商：Supertex，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 200 V，闸/源击穿电... | ||||||
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TC0205AD-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-363-6 | MOSFET 20V .25/.18A | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电... | ||||||
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SY2328DS-T1 | Vishay/Siliconix | MOSFET MOSFET | |||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，包装形式：Reel，... | ||||||
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SSW10N60BTM | Fairchild Semiconductor | TO-263 | MOSFET N-CH/600V/7A/1.2OHM | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸... | ||||||
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SSW1N50BTM | Fairchild Semiconductor | TO-263 | MOSFET NCh/500V/1.5a/5.5Ohm | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：520 V，闸... | ||||||
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SSW1N60BTM | Fairchild Semiconductor | TO-263 | MOSFET N-Ch/600V/1a/12Ohm | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸... | ||||||
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SSW2N60BTM | Fairchild Semiconductor | TO-263 | MOSFET N-Ch/600V/2a/5Ohm | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸... | ||||||
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SSW4N60BTM | Fairchild Semiconductor | TO-263 | MOSFET N-Ch/600V/4a/2.5Ohm | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸... | ||||||
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SSW7N60BTM | Fairchild Semiconductor | TO-263 | MOSFET N-Ch/600V/7a/1.2Ohm | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸... | ||||||
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SSU1N50BTU | Fairchild Semiconductor | I-PAK | MOSFET NCh/500V/1.3a/5.5Ohm | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：520 V，闸... | ||||||
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SSU1N60BTU | Fairchild Semiconductor | IPAK | MOSFET N-Ch/600V/0.9a/12Ohm | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸... | ||||||
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