SSW7N60BTM

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-263
数量：: 8433
说明：: MOSFET N-Ch/600V/7a/1.2Ohm

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SSW7N60BTM PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：125 ns
工厂包装数量：750
上升时间：80 ns
功率耗散：3.13 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：8.2 S
下降时间：85 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.2 Ohms
漏极连续电流：7 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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