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TC0205AD-T1

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: SOT-363-6
数量：: 27
说明：: MOSFET 20V .25/.18A

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TC0205AD-T1 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：19 nS, 19 nS
工厂包装数量：3000
上升时间：25 nS, 25 nS
功率耗散：200 mW
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：300 pC, 300 pC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：150 mS, 200 mS
下降时间：9 nS, 9 nS
包装形式：Reel
封装形式：SOT-363-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：2 Ohms at 4.5 V, 3.8 Ohms at - 4.5 V
漏极连续电流：250 mA, - 180 mA
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：+/- 20 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：否
制造商：Vishay

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