SSW1N60BTM

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-263
数量:
 8406  
说明:
 MOSFET N-Ch/600V/1a/12Ohm
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SSW1N60BTM-TO-263图片

SSW1N60BTM PDF参数资料

中文参数如下:

典型关闭延迟时间:25 ns
工厂包装数量:800
上升时间:45 ns
功率耗散:3.13 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:35 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-263
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):12 Ohms
漏极连续电流:1 A
闸/源击穿电压:+/- 30 V
汲极/源极击穿电压:600 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是SSW1N60BTM的详细信息,包括SSW1N60BTM厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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