| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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DMN3200U-7 | Diodes Inc. | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 178,136 | MOSFET 650mW 30Vdss | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 8 ... | ||||||
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DMN32D2LDF-7 | Diodes Inc. | SOT-353 | MOSFET 350mw 30V DUAL | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 10... | ||||||
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DMN32D2LFB4-7 | Diodes Inc. | 3-XFDFN | 211,181 | MOSFET 350mW 30Vdss | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 10... | ||||||
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DMN3300U-7 | Diodes Inc. | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 8,240 | MOSFET 600mW 30Vdss | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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DMN3404L-7 | Diodes Inc. | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 36,779 | MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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DMN3730U-7 | Diodes Inc. | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 101,844 | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 SOT23,3K | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 8 ... | ||||||
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DMN3730UFB4-7 | Diodes Inc. | 3-XFDFN | MOSFET 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：8 V，漏极连续电流：0.73 A，... | ||||||
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DMN4015LK3-13 | Diodes Inc. | TO-252-3 | MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 40V N-CHANNEL | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMN4025LSD-13 | Diodes Inc. | - | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V SO-8 T&R 2.5K | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMN4027SSD-13 | Diodes Inc. / Zetex | 8-SO | MOSFET MOSFET,N-CHANNEL 40V, 5.4A/- 7.1A | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：5.4 A，... | ||||||
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DMN4027SSS-13 | Diodes Inc. / Zetex | 8-SO | MOSFET MOSFET,N-CHANNEL 40V, 6.1A/- 8A | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：6 A，电阻... | ||||||
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DMN4030LK3-13 | Diodes Inc. | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 40V N-CHANNEL | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMN4031SSD-13 | Diodes Inc. | 8-SO | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 SO-8,2.5K | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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DMN4034SSD-13 | Diodes Inc. / Zetex | 8-SO | 13,599 | MOSFET MOSFET,N-CHANNEL 40V, 4.8A/- 6.3A | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：4.8 A，... | ||||||
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DMN4034SSS-13 | Diodes Inc. / Zetex | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET MOSFET,N-CHANNEL 40V, 5.5A/- 7.2A | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：5.4 A，... | ||||||
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DMN4036LK3-13 | Diodes Inc. | TO-252-3 | MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 40V N-CHANNEL | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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DMN4060SVT-7 | Diodes Inc. | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 74,750 | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V TSOT26 T&R 3K | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMN4468LSS-13 | Diodes Inc. | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CHAN ENHNCMNT MODE | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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DMN4800LSS-13 | Diodes Inc. | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 80 | MOSFET N-CHAN ENHNCMNT MODE | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 25... | ||||||
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DMN4800LSSL-13 | Diodes Inc. | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 SO-8,2.5K | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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