| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
PHB101NQ04T,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET N-CH TRENCH 40V | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
|
PHB108NQ03LT /T3 | NXP Semiconductors | SOT-404 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
|
|
PHB108NQ03LT,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
|
|
PHB110NQ06LT,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET N-CH TRENCH 55V | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：15 V，漏极连续电流：75... | ||||||
|
|
PHB110NQ08LT,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET TRENCH-75 | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：75 A，电阻汲极/源极 RDS（... | ||||||
|
|
PHB110NQ08T /T3 | NXP Semiconductors | SOT-404 | MOSFET TRENCH-75 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
|
|
PHB110NQ08T,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET TRENCH-75 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
|
|
PHB112N06T,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：75 A，电阻汲极/源极 RDS（... | ||||||
|
|
PHB119NQ06T /T3 | NXP Semiconductors | SOT-404 | MOSFET TRENCHMOS (TM)FET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
|
|
PHB119NQ06T,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET TRENCHMOS (TM)FET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
|
|
PHB11N06LT,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电流：10.3 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
|
|
PHB129NQ04LT /T3 | NXP Semiconductors | SOT-404 | MOSFET N-CH TRENCH 40V | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电... | ||||||
|
|
PHB129NQ04LT,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET TRENCHMOS (TM) FET | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电流：75 A，电阻汲极/源极 RDS（... | ||||||
|
|
PHB143NQ04T /T3 | NXP Semiconductors | SOT-404 | MOSFET TRENCHMOS (TM)FET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
|
|
PHB143NQ04T,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET TRENCHMOS (TM)FET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
|
|
PHB145NQ06T,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET TRENCHMOS (TM) FET | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：75 A，电阻汲极/源极 RDS（... | ||||||
|
|
PHB146NQ06LT,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET TRENCHMOS (TM) FET | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：18 A，电阻汲极/源极 RDS... | ||||||
|
|
PHB152NQ03LTA /T3 | NXP Semiconductors | SOT-404 | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
|
|
PHB152NQ03LTA,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
|
|
PHB153NQ08LT,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET TRENCH-75 | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电流：75 A，电阻汲极/源极 RDS（... | ||||||
16/1247 首页 上页 [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] 下页 尾页
