PHB143NQ04T,118

厂家:
  NXP Semiconductors
封装:
 D2PAK
数量:
 3951  
说明:
 MOSFET TRENCHMOS (TM)FET
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PHB143NQ04T,118 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:/T3 PHB143NQ04T
典型关闭延迟时间:81 ns
工厂包装数量:800
功率耗散:200000 mW
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Reel
封装形式:SOT-404
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):5.2 mOhms
漏极连续电流:75 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:40 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:NXP

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