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PHB153NQ08LT,118

厂家：
  NXP Semiconductors
封装：
 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
数量：
 4023  
说明：
 MOSFET TRENCH-75
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PHB153NQ08LT,118 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：273 ns
工厂包装数量：800
上升时间：144 ns
功率耗散：300 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：116 ns
包装形式：Reel - 13 in
封装形式：D2PAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0055 Ohms
漏极连续电流：75 A
闸/源击穿电压：+/- 15 V
汲极/源极击穿电压：75 V
晶体管极性：N-Channel
制造商：NXP

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