| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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FF100R12MT4 | Infineon Technologies | Econo D | IGBT 模块 IGBT-MODULE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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FF100R12RT4 | Infineon Technologies | 14 | IGBT 模块 IGBT Module w/ IGBT & Diode | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：2... | ||||||
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FF100R12YT3 | Infineon Technologies | EASY2 | 3 | IGBT 模块 IGBT INVERTER 1200V | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 ... | ||||||
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FF200R12KE3_B2 | Infineon Technologies | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 295A | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，工厂包装数量：10，... | ||||||
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FF200R12KE4 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 IGBT-MODULE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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FF200R12KS4 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 1200V 200A DUAL | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCE... | ||||||
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FF200R12KT3 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 295A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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FF200R12KT3_E | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 200A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FF200R12KT4 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 320A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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FF200R12MT4 | Infineon Technologies | Econo D | IGBT 模块 IGBT-MODULE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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FF200R17KE3 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 390A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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FF200R17KE3_S4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 200A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FF225R12ME3 | Infineon Technologies | Econo D | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 325A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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FF225R12ME4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 225A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FF225R12MS4 | Infineon Technologies | Econo D | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 275A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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FF225R17ME3 | Infineon Technologies | Econo D | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 340A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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FF225R17ME4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1700V 225A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FF300R06KE3 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 N-CH 600V 400A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电极电... | ||||||
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FF300R06KE3_B2 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 600V 300A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FF300R06ME3 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 600V 300A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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