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FF200R12KT3

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 62 mm
数量：
 1332  
说明：
 IGBT 模块 N-CH 1.2KV 295A
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FF200R12KT3 PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：10
安装风格：Screw
最小工作温度：- 40 C
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
封装形式：62 mm
最大工作温度：+ 125 C
在25 C的连续集电极电流：295 A
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
配置：Dual
产品：IGBT Silicon Modules
制造商：Infineon

以上是FF200R12KT3的详细信息，包括FF200R12KT3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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