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FF100R12RT4

厂家：: Infineon Technologies
封装：
数量：: 2093
说明：: IGBT 模块 IGBT Module w/ IGBT & Diode

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FF100R12RT4 PDF参数资料

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中文参数如下：

最小工作温度：- 40 C
栅极/发射极最大电压：20 V
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：555 W
栅极—射极漏泄电流：100 nA
集电极—射极饱和电压：2 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
产品：IGBT Silicon Modules
RoHS：是
制造商：Infineon

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