首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > IGBT 晶体管 > FF1200R12KE3

FF1200R12KE3

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 IHM 130X140-10
数量：
 2115  
说明：
 IGBT 晶体管 1200V 1200A IGBT Module
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

FF1200R12KE3 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：2
安装风格：Screw
最小工作温度：- 40 C
封装形式：IHM 130X140-10
最大工作温度：+ 125 C
功率耗散：5 KW
栅极—射极漏泄电流：400 nA
在25 C的连续集电极电流：1200 A
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
集电极—射极饱和电压：1.7 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
配置：Dual
RoHS：否
产品种类：IGBT 晶体管
制造商：Infineon

以上是FF1200R12KE3的详细信息，包括FF1200R12KE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   开关晶体管 - 偏压电阻器   IGBT 模块  

IGBT 晶体管最新产品：

  • IXGA30N60C3D4
  • IHW40N120R3FKSA1
  • IGW30N100TFKSA1
  • APT50GP60LDLG
  • APT50GS60BRDLG
  • APT30GS60BRDLG
  • APT30GP60B2DLG
  • APT15GP60BDLG
  • APT30GP60LDLG
  • APT30GS60KRG

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC