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FF225R12ME3

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 Econo D
数量：
 2619  
说明：
 IGBT 模块 N-CH 1.2KV 325A
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FF225R12ME3 PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：12
安装风格：Screw
最小工作温度：- 40 C
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
封装形式：Econo D
最大工作温度：+ 125 C
在25 C的连续集电极电流：325 A
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
配置：Dual
产品：IGBT Silicon Modules
制造商：Infineon

以上是FF225R12ME3的详细信息，包括FF225R12ME3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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