| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
GT20J321(Q) | Toshiba | TO-220(NIS)-3 | IGBT 晶体管 IGBT, 600V, 20A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：20 V，最大工作温度：+ 150 C，封装形式... | ||||||
|
|
GT25G101(Q) | Toshiba | TO-220 | IGBT 晶体管 IGBT 400V 170A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：400 V，栅极/发射极最大电压：25 ... | ||||||
|
|
GT25Q102(Q) | Toshiba | IGBT 晶体管 IGBT, 1200V, 25A | |||
| 参数：制造商：Toshiba，工厂包装数量：100，... | ||||||
|
|
GT25Q301(Q) | Toshiba | TO-3P | 12 | IGBT 晶体管 High Power Motor N Channel IGBT 2.7V | |
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
|
GT30J121(Q) | Toshiba | TO-3P（N） | 4 | IGBT 晶体管 600V/30A DIS | |
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/-... | ||||||
|
|
GT40Q323(Q) | Toshiba | TO-3PN-3 | IGBT 晶体管 IGBT 1200V 39A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
|
|
GT40T301(Q) | Toshiba | TO-3P(LH)-3 | IGBT 晶体管 IGBT 1500V 40A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1500 V，栅极/发射极最大电压：25... | ||||||
|
|
GT50J102(Q) | Toshiba | TO-3P | IGBT 晶体管 IGBT 600V 50A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：20 ... | ||||||
|
|
GT50J121(Q) | Toshiba | TO-3P（LH） | IGBT 晶体管 600V/50A DIS | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/-... | ||||||
|
GT50J301(Q) | Toshiba | TO-3P | IGBT 晶体管 600V/150A DIS+FRD | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/-... | ||||||
|
|
GT50J325(Q) | Toshiba | TO-3P | 73 | IGBT 晶体管 600V/50A DIS+FRD | |
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/-... | ||||||
|
|
GT5G131(TE12L,Q) | Toshiba | IGBT 晶体管 IGBT, 400V, 130A | |||
| 参数：制造商：Toshiba，工厂包装数量：3000，... | ||||||
|
GT60M303(Q) | Toshiba | TO-3P | IGBT 晶体管 900V/60A DIS+FRD Trench | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：900 V，栅极/发射极最大电压：+/-... | ||||||
|
|
GT60M323(Q) | Toshiba | IGBT 晶体管 IGBT, 900V, 60A | |||
| 参数：制造商：Toshiba，工厂包装数量：100，... | ||||||
|
|
GT60N321(Q) | Toshiba | TO-3P（LH） | IGBT 晶体管 IGBT 1000V 60A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1000 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
|
|
GT60N322(Q) | Toshiba | TO-3P | IGBT 晶体管 IGBT 1000V 57A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1000 V，栅极/发射极最大电压：25... | ||||||
|
|
GT8G131(TE12L,Q) | Toshiba | IGBT 晶体管 IGBT, 400V, 150A | |||
| 参数：制造商：Toshiba，工厂包装数量：3000，... | ||||||
|
|
GT8G132(TE12L,Q) | Toshiba | IGBT 晶体管 IGBT, 400V, 150A | |||
| 参数：制造商：Toshiba，工厂包装数量：3000，... | ||||||
|
GT8G133(TE12L,Q) | Toshiba | 8-TSSOP | IGBT 晶体管 IGBT, 400V, 150A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，工厂包装数量：3000，... | ||||||
|
|
GT8G134(TE12L,Q) | Toshiba | IGBT 晶体管 IGBT, 400V, 150A | |||
| 参数：制造商：Toshiba，工厂包装数量：3000，... | ||||||
47/173 首页 上页 [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] 下页 尾页
