GT40T301(Q)

中文参数如下：

工厂包装数量：100
安装风格：Through Hole
集电极最大连续电流 Ic：40 A
封装形式：TO-3P(LH)-3
最大工作温度：+ 150 C
栅极/发射极最大电压：25 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：1500 V
配置：Single
RoHS：是
产品种类：IGBT 晶体管
制造商：Toshiba

以上是GT40T301(Q)的详细信息，包括GT40T301(Q)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   开关晶体管 - 偏压电阻器   IGBT 模块  

IGBT 晶体管最新产品：

IGW30N100TFKSA1

APT50GP60LDLG

APT50GS60BRDLG

APT30GS60BRDLG

APT30GP60B2DLG

APT15GP60BDLG

APT30GP60LDLG

APT30GS60KRG

STGW60V60F

IXYP10N65C3