GT40WR21,Q

厂家:
  Toshiba Semiconductor and Storage
封装:
 TO-3P(N)
数量:
 945  
说明:
 DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(
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GT40WR21,Q-TO-3P(N)图片

GT40WR21,Q PDF参数资料

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中文参数如下:
封装封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
安装类型:通孔
工作温度:175°C(TJ)
反向恢复时间 (trr):-
测试条件:-
25°C 时 Td(开/关)值:-
栅极电荷:-
输入类型:标准
开关能量:-
功率 - 最大值:375 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值):5.9V @ 15V,40A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A
电压 - 集射极击穿(最大值):1350 V
IGBT 类型:-
产品状态:在售
包装:-
系列:托盘
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

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