GT60M303(Q)

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中文参数如下：

工厂包装数量：100
安装风格：Through Hole
集电极最大连续电流 Ic：60 A
包装形式：Bulk
封装形式：TO-3P
功率耗散：170 W
栅极—射极漏泄电流：+/- 500 nA
在25 C的连续集电极电流：60 A
栅极/发射极最大电压：+/- 25 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：900 V
配置：Single
RoHS：是
产品种类：IGBT 晶体管
制造商：Toshiba

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