GT50J301(Q)

厂家：: Toshiba
封装：: TO-3P
数量：: 1998
说明：: IGBT 晶体管 600V/150A DIS+FRD

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GT50J301(Q) PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：100
安装风格：Through Hole
最小工作温度：- 55 C
集电极最大连续电流 Ic：50 A
包装形式：Bulk
封装形式：TO-3P
最大工作温度：+ 150 C
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
配置：Single
RoHS：是
产品种类：IGBT 晶体管
制造商：Toshiba

以上是GT50J301(Q)的详细信息，包括GT50J301(Q)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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