GT50J301(Q)

厂家:
  Toshiba
封装:
 TO-3P
数量:
 1998  
说明:
 IGBT 晶体管 600V/150A DIS+FRD
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GT50J301(Q)-TO-3P图片

GT50J301(Q) PDF参数资料

中文参数如下:

工厂包装数量:100
安装风格:Through Hole
最小工作温度:- 55 C
集电极最大连续电流 Ic:50 A
包装形式:Bulk
封装形式:TO-3P
最大工作温度:+ 150 C
栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V
配置:Single
RoHS:是
产品种类:IGBT 晶体管
制造商:Toshiba

以上是GT50J301(Q)的详细信息,包括GT50J301(Q)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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