GT50JR21(STA1,E,S)

厂家:
  Toshiba Semiconductor and Storage
封装:
 TO-3P(N)
数量:
 891  
说明:
 PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS
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GT50JR21(STA1,E,S)-TO-3P(N)图片

GT50JR21(STA1,E,S) PDF参数资料

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中文参数如下:
封装封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
安装类型:通孔
工作温度:175°C(TJ)
反向恢复时间 (trr):-
测试条件:-
25°C 时 Td(开/关)值:-
栅极电荷:-
输入类型:标准
开关能量:-
功率 - 最大值:230 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值):2V @ 15V,50A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):100 A
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50 A
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
IGBT 类型:-
产品状态:在售
包装:-
系列:管件
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

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