GT50JR21(STA1,E,S)

厂家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封装：: TO-3P（N）
数量：: 891
说明：: PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS

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中文参数如下：
封装封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
安装类型：通孔
工作温度：175°C（TJ）
反向恢复时间 (trr)：-
测试条件：-
25°C 时 Td（开/关）值：-
栅极电荷：-
输入类型：标准
开关能量：-
功率 - 最大值：230 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，50A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：100 A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：50 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V
IGBT 类型：-
产品状态：在售
包装：-
系列：管件
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

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