| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SGH10N60RUFTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3 | IGBT 晶体管 600V/10A | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
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SGH13N60UFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3 | IGBT 晶体管 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
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SGH15N120RUFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3 | IGBT 晶体管 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200... | ||||||
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SGH15N120RUFTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3 | IGBT 晶体管 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200... | ||||||
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SGH15N60RUFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3PN | IGBT 晶体管 Dis Short Circuit Rated IGBT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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SGH15N60RUFTU | Fairchild Semiconductor | TO-3PN | IGBT 晶体管 600V/15A | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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SGH20N120RUFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3 | IGBT 晶体管 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200... | ||||||
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SGH20N120RUFTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3 | IGBT 晶体管 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：... | ||||||
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SGH20N60RUFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P | IGBT 晶体管 Dis Short Circuit Rated IGBT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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SGH20N60RUFTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3 | IGBT 晶体管 600V/20A | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
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SGH23N60UFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3PN | IGBT 晶体管 Dis High Perf IGBT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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SGH23N60UFTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3 | IGBT 晶体管 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+... | ||||||
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SGH25N120RUFTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3 | IGBT 晶体管 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200... | ||||||
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SGH30N60RUFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P | IGBT 晶体管 Dis Short Circuit Rated IGBT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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SGH30N60RUFTU | Fairchild Semiconductor | TO-3PN | IGBT 晶体管 Dis Short Circuit Rated IGBT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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SGH40N60UFDM1TU | Fairchild Semiconductor | TO-3P | IGBT 晶体管 600V/20A/WFRD | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2... | ||||||
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SGH40N60UFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P | IGBT 晶体管 Dis High Perf IGBT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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SGH40N60UFTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P | IGBT 晶体管 Dis High Perf IGBT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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SGH5N120RUFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3 | IGBT 晶体管 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：... | ||||||
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SGH5N120RUFTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3 | IGBT 晶体管 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：... | ||||||
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