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SGH5N120RUFDTU

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-3P-3
数量：
 2574  
说明：
 IGBT 晶体管
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SGH5N120RUFDTU PDF参数资料

中文参数如下：

安装风格：Through Hole
最小工作温度：- 55 C
集电极最大连续电流 Ic：8 A
包装形式：Rail
封装形式：TO-3P-3
最大工作温度：+ 150 C
栅极/发射极最大电压：+/- 25 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是SGH5N120RUFDTU的详细信息，包括SGH5N120RUFDTU厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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