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SGH5N120RUFDTU

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-3P-3
数量：: 2574
说明：: IGBT 晶体管

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SGH5N120RUFDTU PDF参数资料

中文参数如下：

安装风格：Through Hole
最小工作温度：- 55 C
集电极最大连续电流 Ic：8 A
包装形式：Rail
封装形式：TO-3P-3
最大工作温度：+ 150 C
栅极/发射极最大电压：+/- 25 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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