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SGH40N60UFDM1TU

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-3P
数量：: 7776
说明：: IGBT 晶体管 600V/20A/WFRD

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SGH40N60UFDM1TU PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：30
安装风格：Through Hole
最小工作温度：- 55 C
集电极最大连续电流 Ic：40 A
包装形式：Tube
封装形式：TO-3P-3
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：160 W
栅极—射极漏泄电流：+/- 100 nA
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
集电极—射极饱和电压：2.1 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
配置：Single
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

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