SGH30N60RUFDTU

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-3P
数量:
 7758  
说明:
 IGBT 晶体管 Dis Short Circuit Rated IGBT
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SGH30N60RUFDTU PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:SGH30N60RUFDTU_NL
工厂包装数量:30
安装风格:Through Hole
最小工作温度:- 55 C
集电极最大连续电流 Ic:48 A
包装形式:Tube
封装形式:TO-3P-3
最大工作温度:+ 150 C
功率耗散:235 W
栅极—射极漏泄电流:+/- 100 nA
在25 C的连续集电极电流:48 A
栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
集电极—射极饱和电压:2.2 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V
配置:Single
RoHS:是
产品种类:IGBT 晶体管
制造商:Fairchild Semiconductor

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