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SGH30N60RUFDTU

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-3P
数量：: 7758
说明：: IGBT 晶体管 Dis Short Circuit Rated IGBT

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SGH30N60RUFDTU PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SGH30N60RUFDTU_NL
工厂包装数量：30
安装风格：Through Hole
最小工作温度：- 55 C
集电极最大连续电流 Ic：48 A
包装形式：Tube
封装形式：TO-3P-3
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：235 W
栅极—射极漏泄电流：+/- 100 nA
在25 C的连续集电极电流：48 A
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
集电极—射极饱和电压：2.2 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
配置：Single
RoHS：是
产品种类：IGBT 晶体管
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是SGH30N60RUFDTU的详细信息，包括SGH30N60RUFDTU厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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