Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI4532ADY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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SI4532ADY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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SI4532ADY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 4.9/3.9A 2.0W 53/80mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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SI4532CDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 6.0/4.3A 2.78W 47/89mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 30 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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SI4532DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：3... | ||||||
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SI4532DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30 Volt 4.9/3.9A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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SI4539ADY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 5.9/4.9A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：5... | ||||||
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SI4539ADY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 5.9/4.9A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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SI4539ADY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 5.9/4.9A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：5... | ||||||
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SI4539ADY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 5.9/4.9A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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SI4539ADY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 5.9/4.9A 2.0W 36/53mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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SI4539DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 5.9/4.9A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：5... | ||||||
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SI4539DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30 Volt 5.9/4.9A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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SI4542DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 6.9/6.1A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：6... | ||||||
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SI4542DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 6.9/6.1A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：6... | ||||||
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SI4542DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 6.9/6.1A 2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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SI4542DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 6.9/6.1A 2.0W 25/32mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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SI4544DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 6.5/5.7A | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：6... | ||||||
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SI4544DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 6.5/5.7A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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SI4544DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 6.5/5.7A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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