Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI6543DQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 30V 3.9/2.5A 1.0W 6.5/8.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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SI6544BDQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 30V 4/3.5A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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SI6544BDQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET N/P-Ch MOSFET 30V 32/43mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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SI6544DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 30V 4/3.5A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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SI6544DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 30V 4/3.5A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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SI6552DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V/12V | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V, - 12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏... | ||||||
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SI6562CDQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 20V 6.7/6.1A 22/30mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 1... | ||||||
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SI6562DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 4.5/3.5A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 1... | ||||||
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SI6562DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET 20V 4.5/3.5A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 1... | ||||||
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SI6562DQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-TSSOP | MOSFET N/P-Ch MOSFET 20V 30/50mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 1... | ||||||
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SI6801DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 1.9/1.7A | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：+... | ||||||
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SI6802DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 3.3A 1.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：3.3 A，电... | ||||||
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SI6803DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 2.5/2.3A | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：+... | ||||||
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SI6820DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 1.9A 1.2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI6820DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 1.9A 1.2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI6821DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 1.7A 1.2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：1.7 A，电... | ||||||
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SI6862DQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 6.6A 1.8W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI6862DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 6.6A 1.8W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI6866BDQ-T1 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 5.8A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI6866BDQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSSOP-8 | MOSFET 20V 5.8A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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