Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SIR866DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20V 60A 83W 1.9mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIR870ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 100V 6.6mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SIR870DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET N-CHANNEL 100-V(D-S) | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：60 A，电... | ||||||
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SIR874DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 25V 9.4mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，漏极连续电流：20 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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SIR876ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 13,156 | MOSFET 100V 10.8mOhm@10V 40A N-Ch MV T-FET | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SIR876DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 100V 40A N-CH MOSFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：40 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.... | ||||||
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SIR878ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 100V 14mOhm@10V 40A N-Ch MV T-FET | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SIR878DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 100 Volts 40 Amps 44.5 Watts | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SIR880ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 80V 6.3mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，漏极连续电流：60 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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SIR880DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 80V 5.9mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：60 A，电阻... | ||||||
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SIR882ADP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 38 | MOSFET 100V 8.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SIR882DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 517 | MOSFET 100 Volts 60 Amps 83 Watts | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SIR888DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 25V 40A 48W 3.25mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极... | ||||||
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SIR890DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20V 50A 50W 2.9mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIR892DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 25V 50A 50W 3.2mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SIRA00DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 5,782 | MOSFET 30V 1mOhm@10V 60A N-Ch G-IV | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：2.2 V，漏极连续电... | ||||||
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SIRA02DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 250 | MOSFET 30V 2mOhm@10V 50A N-Ch G-IV | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：2.2 V，漏极连续电... | ||||||
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SIRA04DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 2,684 | MOSFET 30V 2.15mOhm@10V 40A N-Ch G-IV | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：2.2 V，漏极连续电... | ||||||
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SIRA06DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 2,710 | MOSFET 30V 2.5mOhm@10V 40A N-Ch G-IV | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：2.2 V，漏极连续电... | ||||||
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SIRA10DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 10,972 | MOSFET 30V 3.7mOhm@10V 30A N-Ch G-IV | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：2.2 V，漏极连续电... | ||||||
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