SIR876DP-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 PowerPAK? SO-8
数量:
 3231  
说明:
 MOSFET 100V 40A N-CH MOSFET
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SIR876DP-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:SIR876DP-GE3
功率耗散:62.5 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:31.8 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :57 S
包装形式:Reel
封装形式:PowerPAK SO-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.0087 Ohms
漏极连续电流:40 A
汲极/源极击穿电压:100 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Vishay

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