SIR878DP-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? SO-8
数量：: 3240
说明：: MOSFET 100 Volts 40 Amps 44.5 Watts

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SIR878DP-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SIR878DP-GE3
功率耗散：44.5 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：28.3 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：34 S
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：14 mOhms
漏极连续电流：40 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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