点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
零件号别名:SIRA00DP-GE3
典型关闭延迟时间:67 ns
上升时间:14 ns
功率耗散:104 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:66 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :140 S
下降时间:11 ns
包装形式:Reel
封装形式:PowerPAK SO-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):1 mOhms at 10 V
漏极连续电流:60 A
闸/源击穿电压:2.2 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay
以上是SIRA00DP-T1-GE3的详细信息,包括SIRA00DP-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!