| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
|---|
|
PHK4NQ20T,518 |
NXP Semiconductors |
8-SO |
|
MOSFET N-CH 200V 4A Trans MOSFET |
|
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：4 A，电阻汲极/... |
|
PHK5NQ15T /T3 |
NXP Semiconductors |
SO-8 |
|
MOSFET TAPE13 PWR-MOS |
|
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... |
|
|
PHK5NQ15T,518 |
NXP Semiconductors |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
|
MOSFET TAPE13 PWR-MOS |
|
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... |
|
PHKD13N03LT,118 |
NXP Semiconductors |
8-SO |
|
MOSFET DUAL N-CH TRENCHMOS LOGIC LEVEL FET |
|
| 参数：制造商：NXP，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：10.4 A，电阻汲... |
|
|
PHKD13N03LT,518 |
NXP Semiconductors |
8-SO |
|
MOSFET MOSFET N-CH TRENCH DL 30V |
|
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：2500，... |
|
PHKD3NQ10T,518 |
NXP Semiconductors |
8-SO |
|
MOSFET DUAL N-CH TRENCHMOS STD LEVEL FET |
|
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：2500，... |
|
PHKD6N02LT /T3 |
NXP Semiconductors |
SO-8 |
|
MOSFET TAPE13 MOSFET |
|
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电... |
|
|
PHKD6N02LT,518 |
NXP Semiconductors |
8-SO |
|
MOSFET TAPE13 MOSFET |
|
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电... |
|
PHM21NQ15T,518 |
NXP Semiconductors |
8-HVSON（5x6） |
|
MOSFET TAPE13 PWR-MOS |
|
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：22.2 A，电阻汲极/源极 R... |
|
|
PHM25NQ10T,518 |
NXP Semiconductors |
8-HVSON（5x6） |
|
MOSFET TAPE13 PWR-MOS |
|
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：30.7 A，电阻汲极/源极 R... |
|
|
PHP101NQ03LT |
NXP Semiconductors |
TO-220AB |
|
MOSFET RAIL MOSFET |
|
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... |
|
PHP101NQ03LT,127 |
NXP Semiconductors |
TO-220AB |
|
MOSFET RAIL MOSFET |
|
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... |
|
|
PHP101NQ04T |
NXP Semiconductors |
TO-220AB |
|
MOSFET TRENCHMOS (TM)FET |
|
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... |
|
|
PHP101NQ04T,127 |
NXP Semiconductors |
TO-220AB |
|
MOSFET TRENCHMOS (TM)FET |
|
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... |
|
PHP110NQ06LT |
NXP Semiconductors |
TO-220AB |
|
MOSFET TRENCHMOS (TM)FET |
|
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：15 V，漏极连续电流：75... |
|
|
PHP110NQ06LT,127 |
NXP Semiconductors |
TO-220AB |
|
MOSFET TRENCHMOS (TM)FET |
|
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：15 V，漏极连续电流：75... |
|
|
PHP110NQ08T |
NXP Semiconductors |
TO-220AB |
|
MOSFET TRENCH-75 |
|
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... |
|
|
PHP110NQ08T,127 |
NXP Semiconductors |
TO-220-3 |
|
MOSFET TRENCH-75 |
|
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... |
|
|
PHP112N06T,127 |
NXP Semiconductors |
TO-220AB |
|
MOSFET TAPE7 MOSFET |
|
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：75 A，电阻汲极/源极 RDS（... |
|
|
PHP119NQ06T |
NXP Semiconductors |
TO-220AB |
|
MOSFET TRENCHMOS (TM)FET |
|
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... |
