PHK5NQ15T,518

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
数量：: 4779
说明：: MOSFET TAPE13 PWR-MOS

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PHK5NQ15T,518 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：/T3 PHK5NQ15T
典型关闭延迟时间：35 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：12 ns
功率耗散：6.25 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：18 ns
包装形式：Reel
封装形式：SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.075 Ohms
漏极连续电流：5 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：150 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：NXP

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