PHP110NQ06LT

厂家:
  NXP Semiconductors
封装:
 TO-220AB
数量:
 2016  
说明:
 MOSFET TRENCHMOS (TM)FET
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PHP110NQ06LT PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:PHP110NQ06LT,127
典型关闭延迟时间:131 ns
工厂包装数量:50
上升时间:123 ns
功率耗散:200 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:86 ns
包装形式:Rail
封装形式:TO-220AB
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.007 Ohms
漏极连续电流:75 A
闸/源击穿电压:15 V
汲极/源极击穿电压:55 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:NXP

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