Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IPD90R1K2C3 | Infineon Technologies | TO-252 | 2069 | MOSFET N-Channel MOSFET 500-900V | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPP015N04N G | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 40V 120A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP020N06N | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET 60V TO-220 | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：120 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
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IPP020N06NAKSA1 | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，漏极连续电流：120 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：... | ||||||
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IPP023N04N G | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET OptiMOS 3 PWR-TRNSTR 40V 90A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP023NE7N3 G | Infineon Technologies | PG-TO-220-3 | 2010 | MOSFET N-Channel 75V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：120 A... | ||||||
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IPP024N06N3 G | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP028N08N3 G | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 80V 100A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP029N06N | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET 60V TO-220 | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
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IPP029N06NAKSA1 | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：... | ||||||
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IPP030N10N3 G | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPP032N06N3 G | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续... | ||||||
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IPP032N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | TO-220-3 | 3,458 | MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：120 A，电阻汲... | ||||||
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IPP034N03L G | Infineon Technologies | TO-220 | 817 | MOSFET N-CH 30V 80A 3.4mOhms | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP034NE7N3 G | Infineon Technologies | TO-220-3 | 470 | MOSFET N-channel POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲... | ||||||
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IPP037N06L3 G | Infineon Technologies | TO-220 | 401 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 60V 90A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP037N08N3 G | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP037N08N3 G E8181 | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-Channel 80V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A... | ||||||
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IPP037N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | TO-220-3 | 3,490 | MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A... | ||||||
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IPP039N04L G | Infineon Technologies | TO-220 | 105 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 40V 80A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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